65.disilane(Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
67.dryetch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68.effectivelayer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线.polymorphismn：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象
76. field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
42. Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
44. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线.dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62.die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63.dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料； Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
57.develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
59.diborane(B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
133.oxidationn ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
16.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71.equipmentdowntime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
73.exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
144.pockedbead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠
145.polarizationn：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
146.polyciden：多晶硅 /金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构
54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
56.designof experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
51. Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。